薄膜铌酸锂衬底生产工艺与关键设备

本报告围绕薄膜铌酸锂（TFLN）衬底的生产工艺与关键设备展开。随着AI集群扩张及单通道速率提升至400G，薄膜铌酸锂凭借高速调制优势有望在3.2T光互联中迎来需求增长。LNOI衬底通过Smart Cut工艺（离子注入、晶圆键合、退火剥离、CMP与离子束Trim膜厚修整）将纳米级铌酸锂薄膜转移至带绝缘层的支撑晶圆，其中离子注入机的剂量均匀性、晶圆键合界面的完整性、CMP与膜厚修整的协同是大尺寸量产的核心难点。国内外厂商已布局LNOI衬底，包括青禾晶元（未上市，覆盖离子注入、键合、Trim等整线方案）、济南晶正电子（NanoLN品牌）、Soitec（Photonics-LNOI）和NGK（TFLN键合晶圆）。投资建议：关注在薄膜铌酸锂产业链有所布局的相关设备公司，如青禾晶元。风险提示：3.2T及400G/lane导入、衬底规模化良率、InP及硅光竞争路线、核心设备客户验证进度不及预期等。