HBM行业深度：制造工艺、发展现状、竞争格局、市场测算及相关公司深度梳理
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摘要
AbstractHBM（高带宽存储器）是面向高吞吐量数据密集型应用的DRAM，通过TSV硅通孔等先进封装垂直堆叠多个DRAM，与GPU经中介层互联封装，在较小空间内实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，正逐步替代GDDR成为数据中心GPU主流内存方案，并持续向更高容量、带宽演进。制造工艺涉及TSV、Bumping、堆叠等环节，存储大厂高度聚焦先进封装，SK海力士凭MR-MUF技术占据优势。竞争格局呈寡头垄断，2023年SK海力士、三星、美光市占率预计分别为53%、38%、9%，华邦电等二线厂商及国产厂商加速切入，武汉新芯就HBM封装招标，拟实现月产能超3000片12英寸晶圆。市场测算方面，2023年HBM市场容量2.8亿GB，预计2024年增至8.9亿GB、2026年达14.1亿GB，2023—2026年CAGR约71%；
核心观点
Key Takeaways- 01HBM（高带宽存储器）是面向高吞吐量数据密集型应用的DRAM，通过TSV硅通孔等先进封装垂直堆叠多个DRAM，与GPU经中介层互联封装，在较小空间内实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，正逐步替代GDDR成为数据中心GPU主流内存方案，并持续向更高容量、带宽演进。
- 02制造工艺涉及TSV、Bumping、堆叠等环节，存储大厂高度聚焦先进封装，SK海力士凭MR-MUF技术占据优势。
- 03竞争格局呈寡头垄断，2023年SK海力士、三星、美光市占率预计分别为53%、38%、9%，华邦电等二线厂商及国产厂商加速切入，武汉新芯就HBM封装招标，拟实现月产能超3000片12英寸晶圆。
报告信息
Report Data- 券商
- 慧博智能投研
- 分类
- 行业研究 / TMT / 电子设备
- 页数 / 大小
- 26 页 · 4.3 MB
- 发布日期
- 2024-03-18