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Global Memory: Cycle is still elevated, but beware of the long-term threat from China

全球内存:周期仍处高位,但须警惕来自中国的长期挑战

伯恩
伯恩斯坦研究部
||41 页|英文|PDF · 3.7 MB
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摘要

Abstract

伯恩斯坦更新全球内存行业模型(涵盖HBM、DRAM、NAND及三星、SK海力士、美光、SanDisk、铠侠、长鑫存储),维持三星、SK海力士、美光、SanDisk「跑赢大盘」及铠侠「跑输大盘」评级,并首次覆盖长鑫存储给予「跑赢大盘」。因HBM4供应遇阻及韩国出口跟踪数据偏弱,下调2027年HBM涨价幅度并推迟HBM3E向HBM4切换,HBM盈利能力仍低于常规DRAM;同时假设Rubin Ultra有一半由12层降规至8层。常规DRAM价格2026年三季度环比涨近20%,四季度收窄至高个位数;2027年短缺持续、价格维持高位但受长期协议价格上限制约;2028年随产能增加及AI投资触及借贷成本、安全、环保等边界条件,价格与毛利率将「正常化」,DRAM毛利率自峰值约90%回落至70%多,NAND至60%多,仍高于以往周期峰值。

核心观点

Key Takeaways
  1. 01下调2027年HBM价格假设,HBM盈利仍将低于常规DRAM。
  2. 02常规内存2026年三季度环比涨十几至20%,2028年价格正常化。
  3. 03首予长鑫存储跑赢,YMTC数据表明中国厂商威胁超出预期。

报告信息

Report Data
券商
伯恩斯坦
分类
行业研究 / TMT / 电子设备
页数 / 大小
41 页 · 3.7 MB
发布日期
2026-09-29
目标价
2025

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