建筑工程行业半导体洁净室深度研究系列五：从存储景气到Fab扩产——洁净室规律复盘及展望

本报告为半导体洁净室深度研究系列第五篇。报告复盘2008年以来DRAM四轮价格上行周期及2010、2013-2014、2017-2018、2021年四轮存储周期，指出存储行业遵循"下游终端需求回暖—存储价格上涨—原厂营收与利润率改善—资本开支加码—产能释放"的逐级传导链条，原厂资本开支高点通常滞后盈利高点1-2年。本轮周期区别于传统消费电子周期：AI服务器放量推动HBM及高性能DRAM需求提升，HBM对晶圆产能形成结构性挤占（TrendForce预计2027年HBM投片占DRAM晶圆片数30%，位元供给占比仅13%，美光HBM晶圆产能消耗为标准DDR5的3-4倍），叠加洁净室及Fab建设周期长（美光指美国建厂约38个月、欧洲约34个月），存储原厂通过长期供货协议（LTA/SCA）提升需求可见度，供需紧平衡支撑景气延续。