半导体洁净室深度研究系列五：从存储景气到Fab扩产：洁净室规律复盘及展望

本报告为半导体洁净室深度研究系列第五篇，属建筑工程业行业深度研究。报告复盘2008年以来五轮DRAM价格周期，指出本轮周期由AI算力需求驱动，HBM及高性能DRAM需求提升，HBM对晶圆产能形成结构性挤占（2027年HBM投片占比约30%而位元供给仅13%），叠加洁净室与Fab建设周期长达19-38个月，三大原厂通过长期供货协议提升需求可见度，供需紧平衡支撑周期延续。存储原厂资本开支高点通常滞后盈利高点1-2年，2025年美光资本开支/营收已回升至42.42%，为历史较高水平。传导链条为存储盈利改善→CAPEX扩张→Fab开工→洁净室订单释放→收入兑现，洁净室需求较存储盈利具明显滞后与延续性。国内晶圆厂扩产构筑需求基本盘，长鑫、长存扩产贡献核心增量；柏诚股份2026H1新签订单58.33亿元，已超2025年全年水平，在手订单56.29亿元。