HNA EUV量产采用落地与大掩膜转型进程提速

摩根士丹利发布日本半导体生产设备行业更新报告，维持行业「具吸引力」（Attractive）观点，聚焦High-NA EUV光刻量产化落地与大掩膜（Large-mask）转型两大主题。在HNA EUV方面，三星宣布扩大与ASML的合作，明确计划于2028年将High-NA EUV引入DRAM量产，这将是业界首次将HNA EUV用于DRAM批量生产；台积电亦宣布计划于2030年采用HNA EUV量产，较此前表态（2029年前在A13/A12世代前暂缓引入）时间点更加明确。在大掩膜转型方面，ASML与台积电宣布联合启动引入6x12英寸大掩膜的计划，三星亦确认参与，目标是2031年建立中试线、2033年具备量产条件；尽管英特尔最早倡导大掩膜转型，最新表态显示三大前沿逻辑/代工厂商正开始协同推进。