mSAP：高密度互连升级下的PCB工艺升级

本报告为天风证券非金属新材料行业专题研究，聚焦PCB向线路更细、密度更高、可靠性更强方向发展背景下的mSAP（改良型半加成法）工艺升级。报告指出，线宽/线距压缩至30μm以下时，传统减成法受蚀刻侧蚀制约，良率明显下滑，已难稳定支撑高端需求，半加成法应运而生。mSAP改良对象为传统减成法，以超薄压合铜箔（2–3μm）为起始基底或厚铜减薄至3–5μm，仅需蚀刻较薄种子层，可实现15μm线宽/线距，部分先进产线可下探至约10μm，相比传统减成法（30–50μm）显著提升线路密度，并带动干膜光刻胶（需在整个工艺窗口实现优于40μm分辨率）、低Z向热膨胀层压材料，以及LDI成像、改进型激光钻孔、填孔图形电镀、闪蚀等设备同步升级。