芯片近端散热瓶颈凸显，金刚石方案加速商业化

AI芯片功耗与热流密度持续抬升，近端散热材料升级成为确定性方向：GPU功耗由A100约400W、H100约700W升至GB200约1200W，Rubin向2000W以上演进，局部热点热流密度向1000W/cm²以上提升，传统铜、铝在导热能力与热膨胀匹配上逼近物理上限；金刚石兼具2000-2200W/(m·K)高热导率、1.0-1.5ppm/K低热膨胀系数与电绝缘特性。技术路线呈"复合材料先导入、纯金刚石后渗透、器件/晶圆级定远期上限"的分层路径：短期以金刚石-铜复合材料为主（热导率约550-900W/(m·K)），已落地联想轻薄本、曙光数创液冷整机柜；中期CVD多晶金刚石热沉片（1200-2000W/(m·K)）适配AI服务器、光模块；长期单晶金刚石、GaN-on-Diamond、晶圆级键合、微通道集成为性能天花板。