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RB-2026-003264

先进封装材料行业深度报告:算力向上,材料先行——先进封装材料的增量逻辑

华创
华创证券研究部
||37 页|中文|PDF · 3.8 MB
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摘要

Abstract

AI与HPC需求增长推动先进封装由后道工艺向系统级集成平台升级,据Yole数据,全球先进封装市场规模预计由2024年407.6亿美元增至2029年674.4亿美元,CAGR 10.6%,占全球封测市场比重由40.2%提升至约50%。Chiplet与HBM推动先进封装向高密度横向互连(Fan-out、2.5D中介层/局部硅桥)和三维垂直集成(TSV、微凸点、铜—铜混合键合)演进,大尺寸FCBGA、玻璃芯基板及面板级封装加快发展。全球进入平台化竞争阶段,台积电3DFabric、英特尔EMIB/Foveros、三星I-Cube/X-Cube展开竞争;国内长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微、甬矽电子持续向Fan-out、FCBGA及2.5D/3D延伸。工艺复杂度提升带动全球先进封装材料市场由2025年1044亿元增至2030年1647亿元,中国市场由203亿元增至365亿元。

核心观点

Key Takeaways
  1. 01AI与HPC需求增长推动先进封装由后道工艺向系统级集成平台升级,据Yole数据,全球先进封装市场规模预计由2024年407.6亿美元增至2029年674.4亿美元,CAGR 10.6%,占全球封测市场比重由40.2%提升至约50%。
  2. 02Chiplet与HBM推动先进封装向高密度横向互连(Fan-out、2.5D中介层/局部硅桥)和三维垂直集成(TSV、微凸点、铜—铜混合键合)演进,大尺寸FCBGA、玻璃芯基板及面板级封装加快发展。
  3. 03全球进入平台化竞争阶段,台积电3DFabric、英特尔EMIB/Foveros、三星I-Cube/X-Cube展开竞争;国内长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微、甬矽电子持续向Fan-out、FCBGA及2.5D/3D延伸。

报告信息

Report Data
券商
华创证券
分类
行业研究 / TMT / 电子设备
页数 / 大小
37 页 · 3.8 MB
发布日期
2026-09-21

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