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GS DRAM Sentiment Indicator: Sep. 2026: Conventional memory and HBM ASP expectations largely reset and starting to recover

高盛DRAM情绪指标(2026年9月):常规内存与HBM ASP预期已基本重置并初现复苏迹象

高盛
高盛研究部
||11 页|英文|PDF · 1.7 MB
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摘要

Abstract

高盛发布2026年9月DRAM情绪指标,整体指向温和向好(与8月一致)。9月DDR4价格延续上行,环比上涨5%,相对9月合约价溢价44%;DDR5环比上涨7%,溢价20%。台湾服务器ODM厂8月月度营收环比增26%、同比增130%,创历史新高增速;Aspeed月度营收同比增118%,50%以上同比增长已连续7个月。韩国8月DRAM出口额环比增11%、同比增412%,创2008年追踪以来新高。2026/2027年常规内存与HBM定价预期已基本重置并开始复苏,投资者对3Q26/4Q26常规DRAM与NAND价格环比增长预期升至约20%/10%,且预期存在上行空间。鉴于HBM供需紧张及与常规DRAM价差扩大,对2027年HBM定价持建设性看法。

核心观点

Key Takeaways
  1. 01DDR4/DDR5现货价9月环比涨5%/7%,较合约价溢价44%/20%。
  2. 028月服务器ODM营收同比增130%,韩国DRAM出口同比增412%创新高。
  3. 03常规内存与2027年HBM价格预期已重置并回升,HBM降规属供给问题。

报告信息

Report Data
券商
高盛
分类
行业研究 / TMT / 电子设备
页数 / 大小
11 页 · 1.7 MB
发布日期
2026-09-30

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