实时更新
高盛·Circle Internet Group 中性 目标价 83高盛·金山办公 买入 目标价 430摩根士丹利·歌尔股份 减持 目标价 16.6瑞银·宇通客车 中性 目标价 34瑞银·小米集团 中性 目标价 30.4瑞银·现代汽车 中性 目标价 400000瑞银·三星电子 买入 目标价 9780瑞银·和誉 买入 目标价 17.5瑞银·Energy 买入 目标价 80瑞银·SK海力士 买入 目标价 3000000摩根大通·松发股份 增持 目标价 265高盛·鸣鸣很忙 买入 目标价 610高盛·阿里健康 中性 目标价 3.6伯恩斯坦·澜起科技 增持 目标价 400高盛(Goldman Sachs)·中芯国际 买入 目标价 156高盛·新秀丽集团 买入 目标价 20.2高盛·领展房地产投资信托基金 中性 目标价 41.6Goldman Sachs·鸿海精密 买入 目标价 400Goldman Sachs·新达信托(Suntec REIT) 中性 目标价 20.5高盛·DB保险 中性 目标价 185000Goldman Sachs·AUB Group 买入 目标价 35.5Goldman Sachs·Astra Microwave Products 买入 目标价 2250Bernstein·应用材料 跑赢行业 目标价 600中国国际金融股份有限公司·贵州茅台 跑赢行业 目标价 1670.98中国国际金融股份有限公司·巴西石油 跑赢行业 目标价 25中金公司·CELSUS 中性 目标价 32中国国际金融股份有限公司·Recruit Holdings 株式会社 跑赢行业 目标价 20000华泰证券·禾赛科技 买入 目标价 23.05华泰证券·开润股份 买入 目标价 23.49华泰证券·港铁公司 持有 目标价 34.2华泰证券·百龙创园 买入 目标价 23.94华泰证券·中金黄金 买入 目标价 26.79Morgan Stanley MUFG Securities Co., Ltd.·上组 中性 目标价 5190J.P. Morgan·维斯塔斯 增持 目标价 295JPMorgan Securities Japan Co., Ltd.·索尼金融集团 中性 目标价 170JPモルガン証券株式会社·趋势科技 中性 目标价 6400JPモルガン証券株式会社·乐敦制药 增持 目标价 3500摩根大通·Atalaya Mining 增持 目标价 1320J.P. Morgan·LEG Immobilien 增持 目标价 89花旗·中广核电力 买入 目标价 3.8花旗(Citi Research)·Amada 买入 目标价 3500花旗(Citi Research)·Minor International 买入 目标价 35Citi Research·United Utilities PLC 中性 目标价 13.4Citi Research·来亿 LAI YIH 中性 目标价 160花旗·东山精密 买入 目标价 159花旗(Citi Research)·东京建物 中性 目标价 3700Citigroup·PLDT 买入 目标价 1750Citi Research·Aristocrat Leisure 买入 目标价 74Bernstein·B&M European Value Retail SA 跑输行业 目标价 140Nomura·Jentech Precision Industrial 买入 目标价 8650高盛·Circle Internet Group 中性 目标价 83

Japan Technology: Semiconductor Capital Equipment: Micron technology webinar read-across: Benefits for TEL/Disco/Ebara/Kokusai

日本科技:半导体资本设备:美光科技网络研讨会交叉解读:利好东京电子/迪思科/荏原/国际电气

高盛
高盛研究部
||9 页|英文|PDF · 5.8 MB
浏览 0 · 下载 0

摘要

Abstract

本报告为高盛对美光科技技术与产品网络研讨会的交叉解读,聚焦其对日本半导体设备(SPE)厂商的影响。美光在会上更新了DRAM与NAND技术路线图:DRAM方面已以EUV量产1-gamma节点,并计划通过混合键合与高数值孔径EUV继续微缩,同时推进垂直堆叠存储单元的3D-DRAM,放弃从制造成本与工艺复杂度看并不划算的4F²方案,过渡期以6F²继续微缩;HBM方面推进定制HBM、垂直HBM与垂直边缘推理存储等架构,均依赖先进封装,混合键合与温度控制不可或缺;NAND方面由当前276层的G9转向400层以上的G11,采用混合键合进行晶圆连接,目标2027年下半年量产,并开发基于单层单元(SLC)的方案及采用硅通孔、逻辑基die的架构。

核心观点

Key Takeaways
  1. 01混合键合应用从图像传感器扩至DRAM与NAND,设备端受益弹性最大。
  2. 02NAND迈向400层以上,批量ALD与深冷刻蚀的工艺用量同步抬升。
  3. 03SLC渗透率每提升1%,约需额外2%晶圆产能,放大设备需求。

报告信息

Report Data
券商
高盛
分类
行业研究 / TMT / 电子设备
页数 / 大小
9 页 · 5.8 MB
发布日期
2026-10-23

相关关键词

Keywords