Japan Technology: Semiconductor Capital Equipment: Micron technology webinar read-across: Benefits for TEL/Disco/Ebara/Kokusai
日本科技:半导体资本设备:美光科技网络研讨会交叉解读:利好东京电子/迪思科/荏原/国际电气
浏览 0 · 下载 0
摘要
Abstract本报告为高盛对美光科技技术与产品网络研讨会的交叉解读,聚焦其对日本半导体设备(SPE)厂商的影响。美光在会上更新了DRAM与NAND技术路线图:DRAM方面已以EUV量产1-gamma节点,并计划通过混合键合与高数值孔径EUV继续微缩,同时推进垂直堆叠存储单元的3D-DRAM,放弃从制造成本与工艺复杂度看并不划算的4F²方案,过渡期以6F²继续微缩;HBM方面推进定制HBM、垂直HBM与垂直边缘推理存储等架构,均依赖先进封装,混合键合与温度控制不可或缺;NAND方面由当前276层的G9转向400层以上的G11,采用混合键合进行晶圆连接,目标2027年下半年量产,并开发基于单层单元(SLC)的方案及采用硅通孔、逻辑基die的架构。
核心观点
Key Takeaways- 01混合键合应用从图像传感器扩至DRAM与NAND,设备端受益弹性最大。
- 02NAND迈向400层以上,批量ALD与深冷刻蚀的工艺用量同步抬升。
- 03SLC渗透率每提升1%,约需额外2%晶圆产能,放大设备需求。
报告信息
Report Data- 券商
- 高盛
- 分类
- 行业研究 / TMT / 电子设备
- 页数 / 大小
- 9 页 · 5.8 MB
- 发布日期
- 2026-10-23