从柜外到柜内：AI 电源升级的两场战役
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摘要
Abstract本报告为国金证券"AIDC系列深度(六)"行业深度研究，聚焦AI电源架构升级。随着GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升，芯片核心电压长期维持在约1V附近无法靠升压降电流，AI电源升级沿两条路径展开：第一场战役为前端升压降电流，推动供电架构由设施侧向服务器内部持续高压化。柜外侧，Sidecar兼容现有480Vac基础设施实现800VDC快速导入，巴拿马通过中压侧一体化压缩供电链路，SST以中压直转800VDC为长期方向；800V进入IT Rack后形成Shelf级800V→50V与Tray级800V→12V/6V两类路径。第二场战役为后端近距降电阻，800V向板级下沉，三次电源由分立走向模块/VPD，GaN因高频低损耗优势受益。
核心观点
Key Takeaways- 01本报告为国金证券"AIDC系列深度(六)"行业深度研究，聚焦AI电源架构升级。
- 02随着GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升，芯片核心电压长期维持在约1V附近无法靠升压降电流，AI电源升级沿两条路径展开：第一场战役为前端升压降电流，推动供电架构由设施侧向服务器内部持续高压化。
- 03柜外侧，Sidecar兼容现有480Vac基础设施实现800VDC快速导入，巴拿马通过中压侧一体化压缩供电链路，SST以中压直转800VDC为长期方向；800V进入IT Rack后形成Shelf级800V→50V与Tray级800V→12V/6V两类路径。
报告信息
Report Data- 券商
- 国金证券
- 分类
- 行业研究 / 制造业 / 电气设备
- 页数 / 大小
- 19 页 · 4.4 MB
- 发布日期
- 2026-09-02